LPCVD扩散炉 Si3N4改造

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LPCVD改造翻新是根据客户的要求及现有机台的状况给出##的解决方案，可实现常压扩散炉改为LPCVD，也可实现LPCVD中不同工艺的更换。LPCVD技术指标1工作温度：300～900℃2适用硅片尺寸：

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