扩散炉LPCVD-TEOS

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LPCVD是在低压加热条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。LPCVD广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业中。LPCVD技术指标1工作温度：300～900℃2适

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